The Effect of Phosphorus Concentration Within The Spin-On Doping Source on Emitter Sheet Resistance and Carrier Lifetimes of P-Type mc-Si Wafers

---

Jaballah A. B., ÜZÜM A., Supajariyawichai P., Ban N., DHAMRIN M., Saitoh T., ...Daha Fazla

The 69th Autumn Meeting of Japanese Society of Applied Physics, Aichi, Japonya, 2 - 05 Eylül 2008, (Tam Metin Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
• Basıldığı Şehir: Aichi
• Basıldığı Ülke: Japonya
• Karadeniz Teknik Üniversitesi Adresli: Hayır