IGBT Tetikleme Devreleri
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2001
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Yunus AKALTUN
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): İSMAİL KAYA
Özet:ÖZET Son yıllarda, IGBT'nin başarısı çarpıcı olarak gelişmiştir ve IGBT'nin uygulama alanları, özellikle yüksek güç uygulamalarında oldukça büyük gelişme göstermiştir. IGBT ve diod, son derece düşük kaçak endüktansla bir güç modül paketinin içinde birleştirilmiştir. IGBT'lerin, daha düşük kayıp, uzun süre dayanma yeteneği, düşük gürültü ve düşük maliyet gibi bir çok avantajları vardır. Bu tezde, IGBT'nin iç yapısı ve uygulama karakteristikleri sunulmuştur. Anahtar kelimeler: IGBT, Mosfet, PWM